Uma célula de memória mais pequena desencadeia uma onda global de vendas
A chinesa ChangXin Memory Technologies planeia lançar um novo produto de memória para servidores antes do final de 2026, com uma arquitetura que poderá aumentar a densidade da memória em cerca de 30%. O anúncio fez cair acentuadamente as ações de fabricantes de chips estabelecidos, embora ainda seja necessário mais trabalho para transformar o projeto numa produção em massa fiável.
Índice
- Uma célula de memória mais pequena desencadeia uma onda global de vendas
- O que significa 4F² em termos simples
- Como a CXMT está a alterar o processo de fabrico
- Depois do lançamento, segue-se um longo teste de produção
- Porque é que a reação do mercado foi além dos fabricantes de memória
- Porque é que a HBM é uma competição diferente
- Quota de mercado em crescimento e um calendário de desenvolvimento preenchido
- Os controlos às exportações condicionam o caminho para a expansão
- Os clientes e a avaliação elevam a fasquia
- Principais pontos
O presidente da CXMT, Cao Kanyu, apresentou os avanços numa conferência do setor em Xangai, a 10 de outubro. A empresa está a desenvolver um projeto denominado 4F², que reduz o espaço ocupado por cada célula de memória. O produto previsto destina-se a servidores de centros de dados, colocando-o em concorrência mais direta com a Samsung Electronics, a SK Hynix e a Micron Technology.
A 13 de outubro, as ações da SK Hynix fecharam em queda de cerca de 10% e as da Samsung recuaram 7,4%, atingindo ambas os níveis mais baixos desde agosto. O índice Kospi da Coreia do Sul caiu 5,5%. A Micron perdeu 3,62% na sessão de terça-feira, depois de ter caído cerca de 3,9% na segunda-feira.
A reação alastrou aos fornecedores de equipamento para chips, às empresas de armazenamento e a outras ações tecnológicas. Os investidores estavam a reavaliar a rapidez com que um fabricante chinês poderá desafiar empresas que beneficiaram da procura de capacidade de computação para inteligência artificial.
O alvo imediato da CXMT é a memória convencional para servidores. A memória de alta largura de banda, ou HBM, uma memória especializada utilizada em conjunto com processadores potentes de IA, continua a ser um ponto forte dos concorrentes estabelecidos. O teste comercial da CXMT será produzir chips fiáveis em quantidade suficiente e a um custo competitivo.
O que significa 4F² em termos simples
A DRAM, sigla de memória dinâmica de acesso aleatório, guarda informação que um computador está a utilizar. Um servidor precisa desta memória de trabalho para manter os dados perto dos processadores enquanto estes executam tarefas. Cada chip contém um número enorme de células de memória minúsculas.
A configuração 6F², comum no setor, atribui a cada célula uma área equivalente a seis vezes o quadrado de uma dimensão mínima, representada por F. Uma configuração 4F² reduz essa área para quatro vezes o mesmo quadrado. Mantendo-se inalterada a dimensão mínima, a própria célula ocupa cerca de um terço menos espaço.
Células mais pequenas podem permitir armazenar mais informação num chip. O aumento num produto completo também depende do espaço ocupado por outros circuitos e das escolhas de fabrico. Jing Jie Yu, analista da Morningstar, estima que a comercialização bem-sucedida da arquitetura da CXMT poderá aumentar a densidade da memória em 30%.
Zhang Xiaolu, subdiretor da consultora CIC, estima um potencial aumento de 30% a 50% no número de bits produzidos por bolacha de silício, juntamente com uma redução de cerca de 33% na área de cada célula. Estas estimativas descrevem o potencial do projeto, não resultados medidos de uma produção em massa já estabelecida.
A Samsung e a SK Hynix também estão a explorar projetos 4F². A SK Hynix apresentou um roteiro de desenvolvimento em 2025, o que torna o calendário de lançamento proposto pela CXMT particularmente sensível para os investidores que avaliam a vantagem tecnológica dos fornecedores atuais.
Como a CXMT está a alterar o processo de fabrico
Cao descreveu uma abordagem denominada Vertical Surrounding Gate, ou VSG, que altera a disposição dos transístores que controlam as células de memória. A empresa espera que esta estrutura reduza as fugas elétricas e outros problemas que se tornam mais difíceis de controlar à medida que as células diminuem.
As fugas elétricas ocorrem quando a corrente escapa por onde não devia. Num chip de memória, controlar essa corrente ajuda as células a conservar a informação de forma fiável e limita o desperdício de energia. Um projeto mais pequeno só é útil se as células continuarem a funcionar de forma consistente.
A CXMT também planeia fabricar as células de memória e os respetivos circuitos periféricos em bolachas de silício separadas e, depois, uni-las através de ligação híbrida. Os circuitos periféricos tratam de funções como selecionar células e transferir informação de e para estas. A ligação híbrida conecta as peças fabricadas separadamente através de ligações elétricas e físicas extremamente precisas.
Cao afirmou que separar essas etapas de fabrico era fundamental para a abordagem da empresa. Zhang disse que a combinação de VSG e ligação ao nível da bolacha poderia aumentar a densidade sem depender da litografia ultravioleta extrema, ou EUV, uma tecnologia avançada utilizada para imprimir padrões minúsculos nos chips.
Depois do lançamento, segue-se um longo teste de produção
Espera-se que a CXMT lance, até ao final de 2026, um módulo DDR5 RDIMM com a nova arquitetura. DDR5 é uma geração de memória informática, enquanto um RDIMM é um módulo de memória habitualmente utilizado em servidores. O produto terá de funcionar de forma fiável com as máquinas e os sistemas que os clientes já utilizam.
Os rendimentos de produção, ou seja, a proporção de chips fabricados que funcionam suficientemente bem para serem vendidos, continuam por esclarecer. Cao não divulgou valores detalhados sobre os rendimentos nem um calendário firme para entregas comerciais em grande escala. Um processo que produza muitos chips defeituosos pode ser dispendioso, mesmo quando o projeto subjacente é promissor.
Jing Jie Yu, analista da Morningstar, descreveu tanto a oportunidade concorrencial como o desafio de fabrico:
«Uma implementação bem-sucedida e mais precoce da arquitetura 4F² na produção de DRAM melhoraria significativamente a posição concorrencial da CXMT face aos seus pares»,
Yu também prevê um intervalo considerável entre a apresentação do produto e a sua comercialização com rendimentos viáveis, apontando para a dificuldade de manter resultados uniformes na produção em massa.
Zhang afirmou que a validação de memória para servidores demora normalmente entre 18 e 24 meses. Durante esse processo, os clientes verificam se os produtos cumprem requisitos exigentes de compatibilidade, fiabilidade e funcionamento. O lançamento de um produto dá, assim, início a uma nova fase de testes e adoção antes de uma utilização alargada.
Porque é que a reação do mercado foi além dos fabricantes de memória
O grupo japonês SoftBank caiu 8,5%, o fornecedor de equipamento para semicondutores Tokyo Electron recuou 7,2% e a fabricante de equipamento de teste Advantest perdeu 2,9%. O índice Nikkei 225 caiu 1,8%, mostrando que as vendas se estenderam para lá das empresas que concorrem diretamente com a CXMT.
As ações europeias também recuaram. A ASML caiu 3,3%, enquanto a STMicroelectronics e a Infineon perderam cerca de 5% cada. As empresas de armazenamento SanDisk, Seagate e Western Digital também desvalorizaram. A própria CXMT fechou a sessão de terça-feira em Xangai com uma queda de 2,8%.
A onda de vendas sucedeu a uma sessão já fraca na segunda-feira nos Estados Unidos, quando o Nasdaq Composite caiu 0,44%. Vey-Sern Ling, consultor sénior de ações na Union Bancaire Privee, afirmou que os investidores estavam a realizar mais-valias em ações de IA que tinham registado um forte desempenho, sobretudo nas empresas de memória.
Phillip Wool, estratega-chefe de mercado da Rayliant Global Advisors, considerou que a dimensão das vendas era desproporcionada face à ameaça concorrencial imediata. Apontou para o trabalho que ainda falta fazer para a CXMT conseguir fabricar o novo projeto em volume.
A negociação do dia seguinte revelou uma queda menor para a SK Hynix, cujas ações recuaram 1,66% a 14 de outubro. Os investidores ponderavam uma possível mudança na concorrência a mais longo prazo, face ao processo prático, muito mais lento, de qualificação dos chips e expansão da produção.
Porque é que a HBM é uma competição diferente
A HBM transfere grandes volumes de dados rapidamente entre a memória e um processador. É particularmente valiosa nos sistemas de IA porque os processadores potentes precisam de um fluxo contínuo de informação para não ficarem inativos. O seu fabrico envolve processos exigentes de produção, empilhamento e encapsulamento.
O produto DDR5 para servidores proposto pela CXMT destina-se a outra parte das necessidades de memória de um centro de dados. A memória geral para servidores suporta o sistema como um todo, enquanto a HBM proporciona acesso especialmente rápido a processadores exigentes, como os aceleradores de IA da Nvidia.
Wool descreveu a posição dos fornecedores estabelecidos na HBM:
«Mais importante ainda, nem sequer estamos a falar de HBM, e os fabricantes de chips coreanos continuam, sem dúvida, a dominar esse segmento, praticamente sem qualquer ameaça de empresas como a CXMT ou de outras num futuro previsível»,
Zhang afirmou que os principais fabricantes estrangeiros concentraram a capacidade na HBM3e e na HBM4, enquanto a oferta de DDR5 convencional para servidores continua limitada. Isso poderá abrir espaço para outro fornecedor fiável de memória geral para servidores, em particular para clientes chineses que procuram uma fonte nacional.
Ling também distingue o desafio concorrencial a longo prazo das capacidades de fabrico atuais. As empresas chinesas de memória poderão afetar o equilíbrio entre a oferta e a procura ao longo do tempo, afirmou, embora continuem a enfrentar dificuldades tecnológicas no curto prazo.
Quota de mercado em crescimento e um calendário de desenvolvimento preenchido
A Counterpoint Research estima que a quota da CXMT nas receitas mundiais de DRAM subiu de 4% no segundo trimestre de 2025 para 10% no segundo trimestre de 2026, tornando-a o quarto maior fornecedor de DRAM do mundo. Uma análise do HSBC também estimou a sua quota em cerca de 10%, acima dos aproximadamente 4% registados um ano antes.
O aumento corresponde a seis pontos percentuais, ou duas vezes e meia a quota anterior. Dá à CXMT uma base comercial em crescimento enquanto trabalha na próxima arquitetura. A empresa está também a avançar rumo à memória para telemóveis LPDDR6, num calendário globalmente semelhante ao da Samsung e da SK Hynix.
Os anúncios recentes da CXMT mostram vários projetos a avançar em simultâneo:
- 20 de setembro de 2026: A empresa anunciou o início da produção em massa na sua plataforma de processo DRAM de quinta geração, denominada G5, e apresentou memória LPDDR5X de elevada capacidade.
- 28 de setembro de 2026: Anunciou planos para um projeto de investigação e desenvolvimento no valor de 24,1 mil milhões de yuans e uma segunda fase de uma base de testes no valor de 10,8 mil milhões de yuans.
- 10 de outubro de 2026: Cao apresentou em Xangai os avanços nos dispositivos DRAM, na arquitetura 4F² e na ligação híbrida.
- Até ao final de 2026: A CXMT pretende lançar o seu novo produto de memória para servidores.
A plataforma G5 utiliza quatro exposições durante a definição dos padrões e atinge um meio passo da área ativa de 11,95 nanómetros, uma medida do espaçamento no interior da matriz de memória. Os dois projetos de investimento previstos totalizam 34,9 mil milhões de yuans e abrangem o desenvolvimento de processos, o encapsulamento, os testes e a montagem de módulos.
Os controlos às exportações condicionam o caminho para a expansão
A CXMT, fundada em 2016 e sediada em Hefei, beneficia do vasto mercado interno de eletrónica da China. O acesso a equipamento de fabrico avançado é limitado pelas restrições à exportação, incluindo as que afetam os sistemas EUV mais avançados da ASML.
A arquitetura proposta dá maior importância à disposição dos dispositivos e à união de bolachas fabricadas separadamente. Zhang afirmou que poderá alcançar uma densidade superior sem EUV, gerando simultaneamente procura de equipamento de alta precisão para gravação, deposição, ligação e polimento.
Os concorrentes estão a investir segundo outro calendário de equipamento e produção. O Japão comprometeu-se a disponibilizar até 536 mil milhões de ienes para a expansão da Micron em Hiroshima, apoiando o desenvolvimento e a produção de DRAM avançada, com os primeiros envios previstos, o mais cedo possível, para 2028. O projeto inclui equipamento EUV e outras ferramentas de fabrico.
A concorrência envolve também tensões jurídicas. Os procuradores sul-coreanos acusaram dez pessoas no âmbito de uma alegada fuga de tecnologia da Samsung, envolvendo conhecimentos de fabrico que terão chegado à CXMT. Os procuradores alegaram que a informação transferida ajudou a acelerar a produção de DRAM da empresa e apoiou o desenvolvimento de HBM. As acusações continuam sujeitas a processo penal.
Os clientes e a avaliação elevam a fasquia
A entrada da CXMT na STAR Market de Xangai, em julho, fez disparar as ações quase 466% no primeiro dia de negociação, tornando-a momentaneamente na empresa cotada mais valiosa da China continental. Mais tarde, as ações ficaram cerca de 4% abaixo do preço de estreia indicado, de 49 yuans.
A empresa foi avaliada em cerca de 3,46 biliões de yuans, face aos 3,87 biliões da Tencent. Estes valores colocam a CXMT em cerca de 89% da avaliação da Tencent, mostrando a dimensão das expectativas dos investidores em torno de um fabricante de memória fundado há apenas uma década.
A adoção pelos clientes determinará até onde se estende o seu alcance comercial. A Apple tem testado DRAM da CXMT para dispositivos vendidos na China e procurado autorização do Governo dos EUA para uma utilização mais alargada. Não foi divulgado qualquer acordo de fornecimento concluído nem uma autorização mais abrangente.
Analistas do Citi defenderam que as vendas a centros de dados em regiões como a Europa poderiam afetar a Micron, mesmo que as restrições dos EUA limitem as vendas diretas para o mercado norte-americano. Um fornecedor pode exercer pressão concorrencial através de clientes noutros mercados, alterando quais os fabricantes que ganham encomendas e os preços que conseguem praticar.
Para os operadores de servidores, a perspetiva prática é a existência de outra fonte de memória convencional, caso a CXMT forneça produtos fiáveis em quantidades suficientes. Para os fabricantes estabelecidos, o desafio é proteger a sua vantagem técnica enquanto concorrem tanto na DRAM convencional como em memórias mais especializadas. Os próximos marcos são o lançamento previsto do produto, a validação pelos clientes e a estabilização da produção.
Principais pontos
- A CXMT pretende lançar, antes do final de 2026, memória para servidores baseada numa arquitetura 4F² de maior densidade.
- A SK Hynix caiu cerca de 10% e a Samsung 7,4% a 13 de outubro, enquanto as vendas se estenderam às ações tecnológicas a nível mundial.
- O projeto combina estruturas verticais de transístores com bolachas fabricadas separadamente e unidas através de ligação híbrida.
- Os analistas veem potencial para ganhos de densidade, mas os rendimentos de produção e a qualificação pelos clientes determinarão o progresso comercial.
- A Counterpoint estima que a quota da CXMT nas receitas de DRAM subiu de 4% para 10% entre os segundos trimestres de 2025 e 2026.
- O produto previsto destina-se à memória convencional para servidores, enquanto os fornecedores estabelecidos mantêm uma posição mais forte na HBM para sistemas de IA.
